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MW6S010GNR1、MW6S010NR1、MW6S010GMR1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MW6S010GNR1 MW6S010NR1 MW6S010GMR1

描述 晶体管, 射频FET, 68 VDC, 450 MHz, 1500 MHz, TO-270射频FET晶体管, 68 V, 450 MHz, 1.5 GHz, TO-270Trans RF MOSFET N-CH 68V 3Pin TO-270 GULL T/R

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 2 2 -

封装 TO-270-2 TO-270-2 TO-270-2

频率 960 MHz 960 MHz 960 MHz

额定电压(DC) 28.0 V 28.0 V -

额定电流 10 µA 10 µA -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

针脚数 2 2 -

极性 - N-Channel -

耗散功率 10 W 61400 mW -

漏源极电压(Vds) 68 V 68 V -

输出功率 10 W 10 W 10 W

增益 18 dB 18 dB 18 dB

测试电流 125 mA 125 mA 125 mA

工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 61400 mW 61400 mW -

额定电压 68 V 68 V 68 V

电源电压 28 V 28 V -

输入电容(Ciss) 23pF @28V(Vds) - -

封装 TO-270-2 TO-270-2 TO-270-2

工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 225℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -