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STBV32、STBV32-AP、STBV32G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STBV32 STBV32-AP STBV32G

描述 高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR高压快速开关NPN功率晶体管 High voltage fast-switching NPN power transistor

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-92 TO-226-3 TO-92-3

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V

集电极最大允许电流 1.5A 1.5A 1.5A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1500 mW 1500 mW -

耗散功率 - 1500 mW -

最小电流放大倍数(hFE) - 5 @1A, 2V 5 @1A, 2V

额定功率(Max) - 1.5 W 1.5 W

封装 TO-92 TO-226-3 TO-92-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Tape & Box (TB) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)