IRF840、IRF840PBF对比区别

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型号 IRF840 IRF840PBF

描述 N沟道增强型功率MOS晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 500 V 500 V

额定电流 8.00 A 8.00 A

额定功率 - 125 W

针脚数 - 3

漏源极电阻 850 mΩ 0.85 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 125W (Tc) 125 W

阈值电压 - 4 V

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 8.00 A 8.00 A

上升时间 21.0 ns 23 ns

输入电容(Ciss) 832pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 125 W

下降时间 - 20 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

耗散功率(Max) 125W (Tc) -

工作温度(Min) - -

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

最小包装 - 50

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

香港进出口证 - NLR