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71V30L35TFI、71V30L35TFI8、IDT71V30L35TFI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V30L35TFI 71V30L35TFI8 IDT71V30L35TFI

描述 静态随机存取存储器 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM静态随机存取存储器 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAMHIGH -SPEED 3.3V 1K ×8双口静态RAM HIGH-SPEED 3.3V 1K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 64 64 -

封装 TQFP-64 TQFP-64 LQFP-64

存取时间 35 ns 35 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V -

长度 10 mm 10 mm -

宽度 10 mm 10 mm -

高度 1.4 mm 1.4 mm -

封装 TQFP-64 TQFP-64 LQFP-64

厚度 1.40 mm 1.40 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -

ECCN代码 - - EAR99