2N3879、2N5430对比区别

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型号 2N3879 2N5430

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORTrans GP BJT NPN 100V 7A 40000mW 3Pin(2+Tab) TO-66

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-66 TO-66-2

频率 - 30 MHz

耗散功率 35 W 40 W

耗散功率(Max) 35000 mW 40000 mW

工作温度(Max) 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

封装 TO-66 TO-66-2

材质 Silicon Silicon

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - -

ECCN代码 - EAR99