MJD350-13、NJVMJD350T4G、KSH350TF对比区别

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型号 MJD350-13 NJVMJD350T4G KSH350TF

描述 TRANS PNP 300V 0.5A DPAKDPAK PNP 300V 0.5ATrans GP BJT PNP 300V 0.5A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 1.56 W 1.56 W -

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 300 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 30 @50mA, 10V 30 @50mA, 10V 30 @50mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - 240 -

额定功率(Max) 15 W 1.56 W 1.56 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1560 mW 1560 mW -

额定电压(DC) - - -300 V

额定电流 - - -500 mA

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99