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IDT7130LA35PDG、IDT7130SA35CG、7130LA35PDG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT7130LA35PDG IDT7130SA35CG 7130LA35PDG

描述 Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, PDIP48, 0.550 X 0.61INCH, 0.19INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, DIP-48高速1K ×8双端口静态SRAM HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM静态随机存取存储器 8K(1KX8)CMOS DUAL PT RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 - - 48

封装 DIP-48 DIP PDIP-48

存取时间 - - 35 ns

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

电源电压 - - 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

长度 - - 61.7 mm

宽度 - - 15.24 mm

高度 - - 3.8 mm

封装 DIP-48 DIP PDIP-48

厚度 - - 3.80 mm

工作温度 - - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -