STD7NM50N、STP7NM50N、STD8NM50N对比区别

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型号 STD7NM50N STP7NM50N STD8NM50N

描述 N沟道500V - 0.70ヘ - 5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.70ヘ - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP7NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 500 V, 700 mohm, 10 V, 3 VN 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 780 mΩ 700 mΩ 0.73 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 45 W 45 W 45 W

阈值电压 - 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 2.50 A 2.50 A -

上升时间 5 ns 5 ns 4.4 ns

输入电容(Ciss) 400pF @50V(Vds) 400pF @50V(Vds) 364pF @50V(Vds)

额定功率(Max) - 45 W 45 W

下降时间 9 ns 9 ns 8.8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 45W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc)

通道数 1 - 1

漏源击穿电压 500 V - -

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3

长度 6.6 mm - 6.6 mm

宽度 6.2 mm - 6.2 mm

高度 2.4 mm - 2.4 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC