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MCP632-E/MF、MCP632T-E/MF、MCP632-E/SN对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MCP632-E/MF MCP632T-E/MF MCP632-E/SN

描述 MCP631/632/633/634/635/639 Operational Amplifiers### 运算放大器,Microchip24兆赫, 2.5毫安运算放大器 24 MHz, 2.5 mA Op AmpsMCP632 系列 5.5 V 24 MHz 轨对轨 I/O 运算放大器 - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 DFN-8 DFN-8 SOIC-8

电源电压(DC) 2.50V (min) 2.50V (min) 2.50V (min)

工作电压 2.5V ~ 5.5V - 2.5V ~ 5.5V

输出电流 ≤150 mA ≤150 mA ≤150 mA

供电电流 2.5 mA 2.5 mA 2.5 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 63 dB - 63 dB

静态电流 3.6 mA - 3.6 mA

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 24 MHz - 24 MHz

转换速率 10.0 V/μs - 10.0 V/μs

增益频宽积 24 MHz 24 MHz 24 MHz

输入补偿电压 8 mV 1.8 mV 8 mV

输入偏置电流 4 pA 4 pA 4 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 24 MHz 24 MHz 24 MHz

共模抑制比(Min) 63 dB 63 dB 63 dB

电源电压 2.5V ~ 5.5V - 2.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5V ~ 6V - -

增益 - - 124 dB

长度 3 mm 3 mm 4.9 mm

宽度 3 mm 3 mm 3.9 mm

高度 0.88 mm 0.88 mm 1.25 mm

封装 DFN-8 DFN-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17