IRF7456、IRF7456TRPBF、IRF7456PBF对比区别

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型号 IRF7456 IRF7456TRPBF IRF7456PBF

描述 SOIC N-CH 20V 16AIRF7456TRPBF 编带N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 - 2.5 W 2.5 W

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 4.70 mΩ 0.02 Ω 0.0065 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 - 2.5 W 2.5 W

阈值电压 - 2 V 2 V

漏源极电压(Vds) 20.0 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 16.0 A 16A 16A

上升时间 25 ns 25 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 3640pF @15V(Vds) 3640pF @15V(Vds) 3640pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W

下降时间 52 ns 52 ns 52 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2500 mW 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定电压(DC) 20.0 V - -

额定电流 16.0 A - -

产品系列 IRF7456 - -

漏源击穿电压 20.0V (min) - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -