STE30NK90Z、STY30NK90Z、APT8030JNFR对比区别

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型号 STE30NK90Z STY30NK90Z APT8030JNFR

描述 N沟道900V - 0.21ヘ - 28A ISOTOP齐纳保护SuperMESTM MOSFET N-channel 900V - 0.21ヘ - 28A ISOTOP Zener-Protected SuperMESTM MOSFETN沟道900V - 0.21ohm - 26A MAX247齐纳保护的超网MOSFET N-CHANNEL 900V - 0.21ohm - 26A Max247 Zener-Protected SuperMESH MOSFETPower Field-Effect Transistor, 27A I(D), 800V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Advanced Power Technology

分类 MOS管MOS管

安装方式 Screw Through Hole -

引脚数 4 3 -

封装 ISOTOP-4 TO-247-3 -

额定电压(DC) 900 V 900 V -

额定电流 30.0 A 26.0 A -

漏源极电阻 210 mΩ 210 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 500 W 450W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V -

漏源击穿电压 900 V 900 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 28.0 A -

上升时间 59 ns 59 ns -

输入电容(Ciss) 12000pF @25V(Vds) 12000pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 500 W 450 W -

下降时间 72 ns 72 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 500W (Tc) 450W (Tc) -

封装 ISOTOP-4 TO-247-3 -

长度 38.2 mm - -

宽度 25.5 mm - -

高度 9.1 mm - -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -