SST26VF016BT-104I/SM、SST26VF016B-104I/SM、AT45DB161E-SSHD-B对比区别

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型号 SST26VF016BT-104I/SM SST26VF016B-104I/SM AT45DB161E-SSHD-B

描述 闪存, 串行NOR, 16 Mbit, 2M x 8位, SPI, SDI, SQI, SOIJ, 8 引脚SST26VF016B/032B/064B 串行四路输入/输出 (SQI) SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST26VF016B/032B/064B 系列设备是串行四路 I/O™ (SQI™) SuperFlash® 存储 IC，具有六线、4 位输入/输出接口，允许在紧凑型低引脚技术封装中执行低功率、高性能操作。 Microchip SQI™ 接口的使用使性能高达 104 MHz 并实现低延时 execute-in-place (XIP) 功能，带最小处理器缓冲存储。 这些闪存芯片还支持全命令集功能，用于传统串行外围接口 (SPI) 协议。 通过使用 SuperFlash® 技术，这些设备可提供卓越的擦除时间，与其他闪存备选设备相比，非常有利。 扇区和块擦除命令通常在18 ms 内完成，全芯片擦除操作通常需要 35 ms。### 特点串行接口体系结构 - 半字节多路复用输入/输出，带 SPI 串行命令结构 x1/x2/x4 串行外围接口 (SPI) 协议 高速时钟频率 - 最大 104 MHz 脉冲串模式 低功耗 – 有源读取 15 mA（104 MHz 时典型），待机 15 μA（典型） 快速擦除时间 - 扇区/块擦除：18 ms（典型）；芯片擦除 35 ms（典型） 灵活的擦除能力 软件写入保护 ### 闪存，MicrochipADESTO TECHNOLOGIES  AT45DB161E-SSHD-B  闪存, DataFlash®, 16 Mbit, 4096 页 x 528字节, 85 MHz, SPI, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Adesto Technologies

分类 Flash芯片Flash芯片Flash芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V -

针脚数 8 8 8

时钟频率 104 MHz 104 MHz 85 MHz

存取时间(Max) 8 ns 8 ns 6 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 2.3 V 2.7 V 2.5 V

供电电流 - - 22 mA

位数 - - 8

内存容量 - - 2000000 B

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5.26 mm -

宽度 - 5.25 mm -

高度 - 1.98 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

ECCN代码 3A991.b.1.a 3A991.b.1.a EAR99