锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

STN4NF03L、STN4NF06L、IRLL3303PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STN4NF03L STN4NF06L IRLL3303PBF

描述 STMICROELECTRONICS  STN4NF03L  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 30 V, 0.039 ohm, 10 V, 1 V60V,4A,N沟道MOSFETTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4Pin(3+Tab) SOT-223 Tube

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 3

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 6.50 A - 4.60 A

额定功率 3.3 W - 2.1 W

针脚数 4 3 -

漏源极电阻 0.039 Ω 0.07 Ω -

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 3.3 W 3.3 W 2.1 W

阈值电压 1 V 2.8 V -

输入电容 330 pF 340 pF -

漏源极电压(Vds) 30 V 60 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V - 30.0 V

栅源击穿电压 ±16.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 6.50 A - 4.60 A

上升时间 100 ns 25 ns 22.0 ns

输入电容(Ciss) 330pF @25V(Vds) 340pF @25V(Vds) 840pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.3 W 3.3 W 1 W

下降时间 22 ns 10 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3300 mW 3.3W (Tc) -

产品系列 - - IRLL3303

长度 6.5 mm - -

宽度 3.5 mm - -

高度 1.8 mm - -

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -