FF100R12RT4HOSA1、SKM75GB12T4、SKM75GB12V对比区别

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型号 FF100R12RT4HOSA1 SKM75GB12T4 SKM75GB12V

描述 Infineon FF100R12RT4HOSA1 N通道 IGBT 模块, 串行, 100 A, Vce=1200 V AG-34MM-1封装SEMIKRON  SKM75GB12T4  晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 115 A, 1.85 V, 1.2 kV, ModuleSEMIKRON  SKM75GB12V  晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 114 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Semikron (赛米控) Semikron (赛米控)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 - - Screw

引脚数 7 7 7

封装 AG-34MM-1 Semitrans2 Semitrans2

针脚数 - 7 7

极性 - Dual N-Channel Dual N-Channel

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率 555 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V - -

输入电容(Cies) 630nF @25V - -

额定功率(Max) 555 W - -

工作结温(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 555000 mW - -

长度 94 mm 94 mm 94 mm

宽度 34 mm 34 mm 34 mm

高度 30.2 mm 30.1 mm 30.1 mm

封装 AG-34MM-1 Semitrans2 Semitrans2

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99

工作温度 -40℃ ~ 150℃ - -