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FQB19N10、IRFW530A、934055699118对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQB19N10 IRFW530A 934055699118

描述 100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFETPower Field-Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Nexperia (安世)

分类

基础参数对比

封装 D2PAK D2PAK -

封装 D2PAK D2PAK -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

极性 N-CH - -

漏源极电压(Vds) 100 V - -

连续漏极电流(Ids) 19A - -