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IDT71V256SA10PZG8、IDT71V256SA10PZGI8、6A10-T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT71V256SA10PZG8 IDT71V256SA10PZGI8 6A10-T

描述 低功耗3.3V CMOS快速SRAM 256K ( 32K ×8位) Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit)低功耗3.3V CMOS快速SRAM 256K ( 32K ×8位) Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit)Standard SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, TSOP1-28

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Alliance Memory (联盟记忆)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 TSOP1 TSSOP-28 TSOP1

封装 TSOP1 TSSOP-28 TSOP1

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 3A991 3A991 -

电源电压 - 3V ~ 3.6V -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -