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2PA1015GR,126、KSA1015GRTA、2PA1015GR-T/R对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2PA1015GR,126 KSA1015GRTA 2PA1015GR-T/R

描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP AMMO RADIALPNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。TRANSISTOR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Small Signal

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-226-3 TO-226-3 -

频率 - 80 MHz -

额定电压(DC) - -50.0 V -

额定电流 - -150 mA -

针脚数 - 3 -

极性 PNP PNP -

耗散功率 500 mW 400 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 0.15A 0.15A -

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 6V 200 @2mA, 6V -

额定功率(Max) 500 mW 400 mW -

直流电流增益(hFE) - 200 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

耗散功率(Max) - 400 mW -

增益频宽积 80 MHz - -

最大电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 6V - -

工作温度(Min) 65 ℃ - -

长度 4.8 mm 5.2 mm -

宽度 4.2 mm 4.19 mm -

高度 5.2 mm 5.33 mm -

封装 TO-226-3 TO-226-3 -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Box (TB) Box -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -