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IRF7450、IRF7450PBF、IRF7450TRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7450 IRF7450PBF IRF7450TRPBF

描述 N沟道 200V 2.5AINFINEON  IRF7450PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 200 V, 170 mohm, 10 V, 5.5 VTrans MOSFET N-CH 200V 2.5A 8Pin SOIC T/R

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 200 V - 200 V

额定电流 2.50 A - 2.50 A

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta) 3 W 2.5 W

产品系列 IRF7450 - IRF7450

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 2.50 A 2.5A 2.50 A

上升时间 3 ns 3 ns 10.0 ns

输入电容(Ciss) 940pF @25V(Vds) 940pF @25V(Vds) 940pF @25V(Vds)

下降时间 18 ns 18 ns -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) -

额定功率 - 3 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.17 Ω -

阈值电压 - 5.5 V -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

额定功率(Max) - - 2.5 W

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.5 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -