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CY7C1425KV18-250BZC、CY7C1425KV18-250BZCT、CY7C1425KV18-250BZXC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1425KV18-250BZC CY7C1425KV18-250BZCT CY7C1425KV18-250BZXC

描述 36 - Mbit的QDR ? II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst ArchitectureSRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 4M x 9Bit 0.45ns 165Pin FBGA T/R36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

供电电流 590 mA - -

时钟频率 250 MHz - -

位数 9 9 9

存取时间 1 ms - -

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

高度 0.89 mm - 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅

ECCN代码 3A991.b.2.a - 3A991.b.2.a