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BZX85C82-TAP、BZX85C82GP、BZX85C82-TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX85C82-TAP BZX85C82GP BZX85C82-TR

描述 Diode Zener Single 82V 6% 1.3W 2Pin DO-41 AmmoDO-41 82V 1.3W齐纳二极管 1.3W,BZX85 系列,Vishay Semiconductor硅平面齐纳二极管(电源) 适用于稳定和削波电路的应用,带有高额定功率 ### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Fagor Electronica (法格) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-41 DO-41 DO-41

耗散功率 1300 mW 1.3 W -

稳压值 82 V 82 V 82 V

容差 ±5 % - ±5 %

额定功率(Max) 1.3 W - 1.3 W

额定功率 1.3 W - -

测试电流 2.7 mA - -

耗散功率(Max) 1300 mW - -

封装 DO-41 DO-41 DO-41

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Ammo Pack - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - 无铅

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃