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IRF1404STRLPBF、IRF1404STRRPBF、IRF1404SPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF1404STRLPBF IRF1404STRRPBF IRF1404SPBF

描述 IRF1404 系列 40 V 162 A 超低导通电阻 HEXFET® 功率 MOSFET-D²-PakD2PAK N-CH 40V 162AINFINEON  IRF1404SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 4 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 200 W 200 W 200 W

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0035 Ω - 0.004 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.8 W 3.8W (Ta), 200W (Tc) 200 W

阈值电压 4 V - 4 V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 162A 162A 162A

上升时间 140 ns 140 ns 140 ns

输入电容(Ciss) 7360pF @25V(Vds) 7360pF @25V(Vds) 7360pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.8 W 3.8 W 3.8 W

下降时间 26 ns 26 ns 26 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)

输入电容 7360 pF - -

长度 10.67 mm - 10.67 mm

宽度 11.3 mm - 9.65 mm

高度 4.83 mm - 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17