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PIC18F2431T-I/ML、PIC18F2431T-I/SO、PIC18F2431-I/SP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PIC18F2431T-I/ML PIC18F2431T-I/SO PIC18F2431-I/SP

描述 28 /40/ 44引脚增强型闪存微控制器采用纳瓦技术,高性能PWM和A / D 28/40/44-Pin Enhanced Flash Microcontrollers with nanoWatt Technology, High-Performance PWM and A/D28 /40/ 44引脚增强型闪存微控制器采用纳瓦技术,高性能PWM和A / D 28/40/44-Pin Enhanced Flash Microcontrollers with nanoWatt Technology, High-Performance PWM and A/DPIC18 微控制器

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 微控制器微控制器微控制器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

封装 QFN-28 SOIC-28 DIP-28

引脚数 - 28 28

时钟频率 40.0 MHz 40.0MHz (max) 40 MHz

RAM大小 768 x 8 768 x 8 768 B

I/O引脚数 24 24 24

存取时间 40.0 µs 40.0 µs 40.0 µs

内核架构 PIC PIC PIC

内核子架构 PIC18 PIC18 PIC18

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

位数 - 8 8

耗散功率 - 1000 mW 1000 mW

耗散功率(Max) - 1000 mW 1000 mW

频率 - - 40 MHz

工作电压 - - 4.2V ~ 5.5V

针脚数 - - 28

FLASH内存容量 - - 16 KB

内存容量 - - 16384 B

模数转换数(ADC) - - 1

输入/输出数 - - 24 Input

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

电源电压 - - 2V ~ 5.5V

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.2 V

封装 QFN-28 SOIC-28 DIP-28

长度 - - 35.56 mm

宽度 - - 0.295 in

高度 - - 3.81 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

香港进出口证 - - NLR