1N758D-1E3、JANTX1N758D-1、JAN1N758D-1对比区别

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型号 1N758D-1E3 JANTX1N758D-1 JAN1N758D-1

描述 DO-35 10V 0.5W(1/2W)SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 2 -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

正向电压 - 1.1 V 1.1V @200mA

耗散功率 500 mW 400 mW -

测试电流 - 20 mA -

稳压值 10 V 10 V 10 V

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

容差 - - ±1 %

额定功率(Max) - - 500 mW

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bag -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead

工作温度 - - -65℃ ~ 175℃