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CY7C1518KV18-250BZI、CY7C1518KV18-250BZXI、CY7C1518KV18-250BZC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1518KV18-250BZI CY7C1518KV18-250BZXI CY7C1518KV18-250BZC

描述 CY7C1518AV18 72 Mb (4 M x 18) 250 MHz 1.8 V DDR-II 2-字突发 SRAM - FBGA-16572兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 72-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture72兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 72-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

时钟频率 250 MHz 250 MHz 250 MHz

位数 18 18 -

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

存取时间 - - 0.45 ns

电源电压(Max) - - 1.9 V

电源电压(Min) - - 1.7 V

高度 0.89 mm 0.89 mm 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a -