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MT29F2G08ABAEAWP:E、MT29F2G08ABAFAH4:F、MT29F2G08ABAEAWP:E TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT29F2G08ABAEAWP:E MT29F2G08ABAFAH4:F MT29F2G08ABAEAWP:E TR

描述 MT29F2G08ABAEAWP:E 编带SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2Gbit 256M x 8Bit 63Pin VFBGASLC NAND Flash Parallel 3.3V 2G-bit 256M x 8 48Pin TSOP-I T/R

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 Flash芯片Flash芯片Flash芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 63 48

封装 TSOP-48 FBGA TFSOP-48

供电电流 35 mA 30 mA 35 mA

存取时间(Max) - 30 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

工作电压 3.30 V - -

位数 8 - 8

内存容量 250000000 B - -

电源电压 2.7V ~ 3.6V - 2.7V ~ 3.6V

封装 TSOP-48 FBGA TFSOP-48

高度 1 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free - Lead Free