RTF015N03TL、RTF025N03TL、US5U3TR对比区别

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型号 RTF015N03TL RTF025N03TL US5U3TR

描述 内置G -S保护二极管。 Built-in G-S Protection Diode.N-沟道 0.8 W 30 V 98 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TUMT-32.5V驱动MOSFET NchSBD 2.5V Drive NchSBD MOSFET

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 5

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 TUMT-5

针脚数 3 3 5

漏源极电阻 240 mΩ 48 mΩ 0.34 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 800 mW 800 mW 0.7 W

阈值电压 - 1.5 V 1.5 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 1.50 A 2.50 A 1.50 A

上升时间 9 ns 15 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 80pF @10V(Vds) 270pF @10V(Vds) 80pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 800 mW 800 mW 700 mW

下降时间 6 ns 11 ns 6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 320mW (Ta) 800mW (Ta) 1W (Ta)

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 1.50 A 2.50 A -

通道数 1 1 -

漏源击穿电压 30 V 30 V -

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 TUMT-5

长度 2 mm 2 mm -

宽度 1.7 mm 1.7 mm -

高度 0.82 mm 0.77 mm -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -