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BCR146、PDTC124ES,126、PDTC143ZK,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR146 PDTC124ES,126 PDTC143ZK,115

描述 NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital TransistorSPT NPN 50V 100mAMPAK NPN 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 SOT-23 TO-226-3 SOT-23-3

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 70mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 60 @5mA, 5V 100 @10mA, 5V

额定功率(Max) - 500 mW 250 mW

封装 SOT-23 TO-226-3 SOT-23-3

产品生命周期 End of Life Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free