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BC858A、SST6427、BC858B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC858A SST6427 BC858B

描述 General Purpose Applications, 30V, 100mA, 310mW, B= 110~220, > 150MHzSST6427 NPN 500mA/0.5A 40V SOT-23/SC-59 markign/标记R1J 开关 功率放大Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23

数据手册 ---

制造商 Samsung (三星) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23

引脚数 - - 3

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

耗散功率 - - 250 mW

增益频宽积 - - 100 MHz

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 250 mW

极性 - NPN -

击穿电压(集电极-发射极) - 40 V -

材质 - - Silicon

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free