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DN3545N8、DN3545N8-G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DN3545N8 DN3545N8-G

描述 Trans MOSFET N-CH 450V 0.2A 4Pin(3+Tab) SOT-89MICROCHIP  DN3545N8-G  芯片, 场效应管, MOSFET, 耗尽模式, 450V, 20Ω, 3-SOT-89, T/R

数据手册 --

制造商 Supertex (超科) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 3

封装 SOT-89 SOT-89-3

封装 SOT-89 SOT-89-3

长度 - 4.6 mm

宽度 - 2.6 mm

高度 - 1.6 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon

产品生命周期 Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

额定功率 - 1.6 W

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 20 Ω

极性 - N-Channel

耗散功率 - 1.6 W

漏源极电压(Vds) - 450 V

连续漏极电流(Ids) - 0.2A

上升时间 - 30 ns

输入电容(Ciss) - 360pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 1.6 W

下降时间 - 40 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 1.6W (Ta)

通道数 - -

漏源击穿电压 - -

栅源击穿电压 - -

ECCN代码 - -

HTS代码 - -