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ADR430BRZ、ADR440BRZ-REEL7、ADR430BRZ-REEL7对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ADR430BRZ ADR440BRZ-REEL7 ADR430BRZ-REEL7

描述 ANALOG DEVICES  ADR430BRZ  芯片, 电压基准超低噪声, LDO XFET基准电压与电流吸收和源 Ultralow Noise, LDO XFET Voltage References with Current Sink and Source超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

容差 ±0.05 % ±0.05 % ±0.05 %

输入电压(DC) 4.10V ~ 18.0V 18.0V (max) 20.0V (max)

输出电压 2.048 V 2.048 V 2.048 V

输出电流 30 mA 10 mA 30 mA

供电电流 800 µA 3.75 mA 800 µA

通道数 1 1 1

输入电压(Max) 20 V 20 V 20 V

输出电压(Max) 2.048 V 2.048 V 2.048 V

输出电压(Min) 2.048 V 2.048 V 2.048 V

输出电流(Max) 30 mA 10 mA 30 mA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

精度 ±0.05 % ±0.05 % ±0.05 %

输入电压 4.1V ~ 18V 3V ~ 18V 4.1V ~ 18V

针脚数 8 - -

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ (TA)

温度系数 ±3 ppm/℃ ±3 ppm/℃ ±3 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99