BSO211PHXUMA1、BSO301SPHXUMA1、SI4435DY对比区别
型号 BSO211PHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 SI4435DY
描述 DSO P-CH 20V 4AINFINEON BSO301SPHXUMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -12.6 A, -30 V, 0.0063 ohm, -10 V, -1.5 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR SI4435DY. 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 15 mohm, -10 V, -1.7 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PG-DSO-8 SOIC SOIC-8
额定功率 1.6 W 1.79 W -
极性 P-CH P-Channel P-Channel
耗散功率 2 W 1.79 W 2.5 W
漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 4A 12.6A -8.80 A
上升时间 13 ns 22 ns 13.5 ns
输入电容(Ciss) 1095pF @15V(Vds) 4430pF @25V(Vds) 1604pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 1.6 W - 1 W
下降时间 27 ns 110 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.6 W 2500 mW 2.5W (Ta)
针脚数 - 8 8
漏源极电阻 - 0.0063 Ω 0.015 Ω
额定电压(DC) - - -30.0 V
额定电流 - - -8.80 A
输入电容 - - 1.60 nF
栅电荷 - - 17.0 nC
漏源击穿电压 - - -150 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 4.9 mm 5 mm 4.9 mm
宽度 3.9 mm 4 mm 3.9 mm
高度 1.75 mm 1.65 mm 1.57 mm
封装 PG-DSO-8 SOIC SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99