BSO211PHXUMA1、BSO301SPHXUMA1、SI4435DY对比区别

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型号 BSO211PHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 SI4435DY

描述 DSO P-CH 20V 4AINFINEON  BSO301SPHXUMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -12.6 A, -30 V, 0.0063 ohm, -10 V, -1.5 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  SI4435DY.  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 15 mohm, -10 V, -1.7 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PG-DSO-8 SOIC SOIC-8

额定功率 1.6 W 1.79 W -

极性 P-CH P-Channel P-Channel

耗散功率 2 W 1.79 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 4A 12.6A -8.80 A

上升时间 13 ns 22 ns 13.5 ns

输入电容(Ciss) 1095pF @15V(Vds) 4430pF @25V(Vds) 1604pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.6 W - 1 W

下降时间 27 ns 110 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.6 W 2500 mW 2.5W (Ta)

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.0063 Ω 0.015 Ω

额定电压(DC) - - -30.0 V

额定电流 - - -8.80 A

输入电容 - - 1.60 nF

栅电荷 - - 17.0 nC

漏源击穿电压 - - -150 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

长度 4.9 mm 5 mm 4.9 mm

宽度 3.9 mm 4 mm 3.9 mm

高度 1.75 mm 1.65 mm 1.57 mm

封装 PG-DSO-8 SOIC SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99