IXTA96P085T、IXTA96P085TTRL、IXTP96P085T对比区别

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型号 IXTA96P085T IXTA96P085TTRL IXTP96P085T

描述 TO-263AA P-CH 85V 96AMOSFET P-CH 85V 96A TO-263IXTP 系列 单通道 P 沟道 85 V 13 mOhm 298 W 功率 MosFet - TO-220AB

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3

引脚数 3 - 3

耗散功率 298 W 298W (Tc) 298 W

漏源极电压(Vds) 85 V 85 V 85 V

输入电容(Ciss) 13100pF @25V(Vds) 13100pF @25V(Vds) 13100pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 298W (Tc) 298W (Tc) 298W (Tc)

极性 P-CH - P-CH

连续漏极电流(Ids) 96A - 96A

上升时间 34 ns - 34 ns

额定功率(Max) - - 298 W

下降时间 22 ns - 22 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定功率 298 W - -

通道数 1 - -

阈值电压 2 V - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3

宽度 9.65 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Cut Tape (CT) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free