FDA59N30、STW75NF30、IXTH50N30对比区别

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型号 FDA59N30 STW75NF30 IXTH50N30

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDA59N30  晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 300 V, 0.047 ohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS  STW75NF30  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 300 V, 37 mohm, 10 V, 3 VTrans MOSFET N-CH 300V 50A 3Pin(3+Tab) TO-247

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-247-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.047 Ω 0.037 Ω 65 mΩ

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 500 W 320 W 400 W

阈值电压 5 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V

漏源击穿电压 300 V - 300 V

连续漏极电流(Ids) 59.0 A 30.0 A -

上升时间 575 ns 87 ns 33 ns

输入电容(Ciss) 4670pF @25V(Vds) 5930pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 500 W 320 W -

下降时间 200 ns 101 ns 17 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 500W (Tc) 320W (Tc) 400W (Tc)

通道数 - - 1

长度 16.2 mm 15.75 mm -

宽度 5 mm 5.15 mm -

高度 18.9 mm 20.15 mm -

封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -