IRFL4105、IRFL4105TRPBF、IRFL4105TR对比区别

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型号 IRFL4105 IRFL4105TRPBF IRFL4105TR

描述 SOT-223 N-CH 55V 5.2AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。SOT-223 N-CH 55V 5.2A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 3 -

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 1W (Ta) 2.1 W 1W (Ta)

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 5.2A 3.70 A 3.70 A

上升时间 12 ns 12 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 660pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds)

下降时间 12 ns 12 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta)

额定电压(DC) - 55.0 V 55.0 V

额定电流 - 3.70 A 3.70 A

额定功率 - 2.1 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.045 Ω -

产品系列 - IRFL4105 IRFL4105

阈值电压 - 4 V -

漏源击穿电压 - 55 V -

额定功率(Max) - 1 W -

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

长度 - 6.7 mm -

宽度 - 3.7 mm -

高度 - 1.8 mm -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -