SI2301BDS、SSM3J304T、SI2301BDS-T1-GE3对比区别

高亮显示差异参数

型号 SI2301BDS SSM3J304T SI2301BDS-T1-GE3

描述 TransistorSSM3J304T P沟道MOS场效应管 -20V -2.3A 0.088ohm SOT-23 marking/标记 JJ2 电源管理开关 高速开关 1.8V驱动 低导通电阻Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 3Pin TO-236 T/R

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Toshiba (东芝) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

漏源极电阻 - - 80 mΩ

极性 P-Channel - P-Channel

耗散功率 700 mW - 700 mW

漏源极电压(Vds) - - 20 V

连续漏极电流(Ids) - - -2.20 A

上升时间 - - 40 ns

输入电容(Ciss) - - 375pF @6V(Vds)

下降时间 - - 20 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 700mW (Ta)

输出功率 700 mW - -

长度 - - 2.9 mm

宽度 - - 1.6 mm

高度 - - 1.45 mm

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free