STB70NF03L、STB70NF03LT4对比区别
描述 N沟道30V - 0.0075ohm - 70A - D2PAK - I2PAK - TO- 220低栅极电荷的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.0075ohm - 70A - D2PAK - I2PAK - TO-220 Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET30V,0.0095Ω,70A,N沟道功率MOSFET
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 3
封装 D2PAK TO-263-3
额定电压(DC) - 30.0 V
额定电流 - 70.0 A
通道数 - 1
漏源极电阻 - 13.5 mΩ
极性 - N-Channel
耗散功率 - 100 W
漏源极电压(Vds) - 30 V
漏源击穿电压 - 30.0 V
栅源击穿电压 - ±18.0 V
连续漏极电流(Ids) - 70.0 A
上升时间 - 165 ns
输入电容(Ciss) - 1440pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 100 W
下降时间 - 25 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 100W (Tc)
长度 - 10.4 mm
宽度 - 9.35 mm
高度 - 4.6 mm
封装 D2PAK TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Pre-Release
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC