IRF8113、IRF8113TRPBF、IRF8113PBF对比区别

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型号 IRF8113 IRF8113TRPBF IRF8113PBF

描述 SOIC N-CH 30V 17.2AINFINEON  IRF8113TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 17.2 A, 30 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.2 V 新INFINEON  IRF8113PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 17.2 A, 30 V, 5.6 mohm, 10 V, 2.2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 16.6 A 16.6 A -

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 5.6 mΩ 0.0056 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W 2.5 W

产品系列 IRF8113 IRF8113 -

阈值电压 - 2.2 V 2.2 V

输入电容 - 2910 pF 2910pF @15V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 17.2 A 17.2 A 17.2A

上升时间 8.9 ns 8.9 ns 8.9 ns

输入电容(Ciss) 2910pF @15V(Vds) 2910pF @15V(Vds) 2910pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W -

下降时间 3.5 ns 3.5 ns 3.5 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定功率 - - 2.5 W

漏源击穿电压 - - 30 V

长度 - 5 mm 4.9 mm

宽度 - 3.9 mm 3.9 mm

高度 - 1.5 mm 1.75 mm

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17