SPI20N60C3HKSA1、SPI20N60C3XKSA1对比区别

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型号 SPI20N60C3HKSA1 SPI20N60C3XKSA1

描述 TO-262 N-CH 650V 20.7ATO-262 N-CH 650V 20.7A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-262-3 TO-262-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 208W (Tc) 208W (Tc)

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 20.7 A 20.7A

上升时间 15 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 208 W

下降时间 6.4 ns 6.4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 208W (Tc) 208W (Tc)

额定电压(DC) 650 V -

额定电流 20.7 A -

输入电容 2.40 nF -

栅电荷 114 nC -

封装 TO-262-3 TO-262-3

长度 10.2 mm -

宽度 4.5 mm -

高度 9.45 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅