IXFP16N50P、IXTA16N50P、AOT16N50对比区别

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型号 IXFP16N50P IXTA16N50P AOT16N50

描述 IXFP16N50P 系列 500 V 400 mOhm N 沟道 增强模式 功率 MOSFETTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3Pin(2+Tab) D2PAKTO-220 N-CH 500V 16A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-220-3

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) 500 V 500 V -

额定电流 16.0 A 16.0 A -

耗散功率 300 W 300 W 278W (Tc)

输入电容 2.25 nF 2.25 nF -

栅电荷 43.0 nC 43.0 nC -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 16.0 A 16.0 A 16A

输入电容(Ciss) 2250pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds) 2297pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 278W (Tc)

极性 N-Channel - N-CH

上升时间 25 ns - 84 ns

额定功率(Max) 300 W - 278 W

下降时间 22 ns - 50 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

通道数 1 - -

漏源极电阻 400 mΩ - -

漏源击穿电压 500 V - -

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-220-3

长度 10.66 mm - -

宽度 4.83 mm - -

高度 9.15 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -