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CY7C1021B-12VI、CY7C1021BN-12VI、CY7C1021BN-12VXI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1021B-12VI CY7C1021BN-12VI CY7C1021BN-12VXI

描述 1兆位( 64K ×16 )静态RAM 1-Mbit (64K x 16) Static RAM1兆位( 64K ×16 )静态RAM 1-Mbit (64K x 16) Static RAM1兆位( 64K ×16 )静态RAM 1-Mbit (64K x 16) Static RAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 SOJ SOJ BSOJ-44

安装方式 - - Surface Mount

封装 SOJ SOJ BSOJ-44

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 - - Tube, Bulk

电源电压(DC) - - 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 - - 12.0 GHz

存取时间 - - 12.0 ns

内存容量 - - 1000000 B

电源电压 5 V - 4.5V ~ 5.5V

工作温度 - - -40℃ ~ 85℃ (TA)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

ECCN代码 3A991.b.2 - -