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IXDI509SIA、IXDI609SIATR、IXDI609SIA对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXDI509SIA IXDI609SIATR IXDI609SIA

描述 IC GATE DRIVER SGL 9A 8-SOIC低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

上升/下降时间 25ns, 23ns 22ns, 15ns 22ns, 15ns

输出接口数 - 1 1

输出电流 - 2 A -

上升时间 - 22 ns 45 ns

下降时间 - 15 ns 40 ns

下降时间(Max) - 25 ns 25 ns

上升时间(Max) - 35 ns 35 ns

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 30V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V

电源电压(Max) - 35 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99