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IDT70T3339S133BFI、IDT70T633S12BFI、70T633S12BFI8对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT70T3339S133BFI IDT70T633S12BFI 70T633S12BFI8

描述 HIGH -SPEED 2.5V二百五十六分之五百一十二/ 128K ×18同步双端口静态3.3V或2.5V接口RAM HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACEHIGH -SPEED 2.5V 512 / 256K ×18异步双口静态RAM为3.3V 0R 2.5V接口 HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE512K x 18, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O's

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 - - 208

封装 LFBGA LFBGA LFBGA-208

电源电压 - - 2.4V ~ 2.6V

长度 - - 15.0 mm

宽度 - - 15.0 mm

封装 LFBGA LFBGA LFBGA-208

厚度 - - 1.40 mm

工作温度 - - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 3A991 - -