STL55NH3LL、STL60N3LLH5、BSC0909NS对比区别

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型号 STL55NH3LL STL60N3LLH5 BSC0909NS

描述 STMICROELECTRONICS  STL55NH3LL  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 30 V, 7.9 mohm, 10 V, 2.5 VN 通道 STripFET™ V，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics30V,9.2mΩ,44A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PowerFLAT-5x6-8 PowerFLAT-5x6-8 PG-TDSON-8

针脚数 8 - -

漏源极电阻 7.9 mΩ 0.0063 Ω 7.7 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 60 W 60 W 2.5 W

阈值电压 2.5 V 1 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 34 V

连续漏极电流(Ids) 7.50 A 60A 12A

上升时间 32 ns 11.2 ns 4.4 ns

输入电容(Ciss) 965pF @25V(Vds) 1290pF @25V(Vds) 1110pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 4 W 60 W 27 W

下降时间 8.5 ns 6 ns 5.4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 60W (Tc) 60W (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc)

通道数 - 1 1

漏源击穿电压 - - 34 V

长度 5 mm 5 mm 5.9 mm

宽度 6 mm 6 mm 5.15 mm

高度 0.81 mm 0.81 mm 1.27 mm

封装 PowerFLAT-5x6-8 PowerFLAT-5x6-8 PG-TDSON-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -