IRF1404SPBF、IRF1404STRLPBF、AUIRF1404STRL对比区别

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型号 IRF1404SPBF IRF1404STRLPBF AUIRF1404STRL

描述 INFINEON  IRF1404SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 4 mohm, 10 V, 4 VIRF1404 系列 40 V 162 A 超低导通电阻 HEXFET® 功率 MOSFET-D²-PakD2PAK N-CH 40V 162A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3

额定功率 200 W 200 W 200 W

通道数 - - 1

漏源极电阻 0.004 Ω 0.0035 Ω 4 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 200 W 3.8 W 200 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

漏源击穿电压 - - 40 V

连续漏极电流(Ids) 162A 162A 162A

上升时间 140 ns 140 ns 140 ns

输入电容(Ciss) 7360pF @25V(Vds) 7360pF @25V(Vds) 7360pF @25V(Vds)

下降时间 26 ns 26 ns 26 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)

针脚数 3 3 -

阈值电压 4 V 4 V -

额定功率(Max) 3.8 W 3.8 W -

输入电容 - 7360 pF -

长度 10.67 mm 10.67 mm 6.5 mm

宽度 9.65 mm 11.3 mm 6.22 mm

高度 4.83 mm 4.83 mm 2.3 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -