FDMS6681Z、SI7465DP-T1-E3、FDS7079ZN3对比区别

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型号 FDMS6681Z SI7465DP-T1-E3 FDS7079ZN3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS6681Z  晶体管, MOSFET, P沟道, -49 A, -30 V, 0.0027 ohm, -10 V, -1.7 VSI7465DP-T1-E3 编带30伏P沟道PowerTrench MOSFET 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 Power-56-8 SO-8 SOIC-8

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.0027 Ω 0.051 Ω 7.50 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 73 W 1.5 W 3.13 W

阈值电压 - 3 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 60 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 21.1A -5.00 A -16.0 A

上升时间 38 ns 9 ns 20 ns

正向电压(Max) - 1.2 V -

额定功率(Max) 2.5 W 1.5 W 1.5 W

下降时间 197 ns 30 ns 98 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 73W (Tc) 3500 mW 3.13W (Ta)

额定电压(DC) - - -30.0 V

额定电流 - - -16.0 A

栅源击穿电压 - - ±25.0 V

输入电容(Ciss) 10380pF @15V(Vds) - 3630pF @15V(Vds)

封装 Power-56-8 SO-8 SOIC-8

长度 5 mm - 4.9 mm

宽度 6 mm - 3.9 mm

高度 1.05 mm - 1.75 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2500 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 - - EAR99