STB55NF06T4、STD35NF06T4、IRFZ44VSPBF对比区别
型号 STB55NF06T4 STD35NF06T4 IRFZ44VSPBF
描述 N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsD2PAK N-CH 60V 55A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 50.0 A 35.0 A 55.0 A
漏源极电阻 0.015 Ω 0.024 Ω 0.0165 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 110 W 55 W 115 W
产品系列 - - IRFZ44VS
阈值电压 3 V 3 V 4 V
输入电容 - - 1.81 nF
栅电荷 - - 67.0 nC
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 60.0 V
连续漏极电流(Ids) 50.0 A 35.0 A 55.0 A
上升时间 50 ns 8 ns 97 ns
输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 1812pF @25V(Vds)
下降时间 15 ns 15 ns 57 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 80W (Tc) 115000 mW
通道数 1 - -
针脚数 3 - -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
额定功率(Max) 110 W 80 W -
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263
长度 10.4 mm 6.6 mm -
宽度 9.35 mm 6.2 mm -
高度 4.6 mm 2.4 mm -
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active End of Life
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -