IRLR8103VPBF、IRLR8103VTRL、IRLR8103VTRPBF对比区别

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型号 IRLR8103VPBF IRLR8103VTRL IRLR8103VTRPBF

描述 INFINEON  IRLR8103VPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 91 A, 30 V, 0.0069 ohm, 10 V, 3 VDPAK N-CH 30V 91ADPAK N-CH 30V 91A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 89 W - 89 W

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.0069 Ω - -

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 115 W 115W (Tc) 115 W

阈值电压 3 V - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 91A 91A 91A

上升时间 9 ns - 9 ns

输入电容(Ciss) 2672pF @16V(Vds) 2672pF @16V(Vds) 2672pF @16V(Vds)

下降时间 18 ns - 18 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 115W (Tc) 115W (Tc) 115W (Tc)

额定功率(Max) - - 115 W

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Rail, Tube - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -