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BSP123 L6327、IRFL110TRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP123 L6327 IRFL110TRPBF

描述 INFINEON  BSP123 L6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 370 mA, 100 V, 3.5 ohm, 10 V, 1.4 VVISHAY  IRFL110TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 540 mohm, 10 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4

封装 TO-261-4 SOT-223

额定电压(DC) 100 V -

额定电流 370 mA -

针脚数 4 3

漏源极电阻 3.5 Ω 0.54 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 1.79 W 2 W

阈值电压 1.4 V 2 V

输入电容 70.0 pF -

栅电荷 2.40 nC -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 380 mA, 370 mA 1.50 A

上升时间 3.2 ns 16 ns

输入电容(Ciss) 70pF @25V(Vds) 180pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1.79 W -

下降时间 9.4 ns 9.4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1790 mW 3.1 W

长度 6.5 mm 6.7 mm

宽度 3.5 mm 3.7 mm

高度 1.6 mm 1.8 mm

封装 TO-261-4 SOT-223

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - EAR99