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IRFR4104、IRFR4104PBF、AUIRFR3504Z对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR4104 IRFR4104PBF AUIRFR3504Z

描述 DPAK N-CH 40V 119AINFINEON  IRFR4104PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 40 V, 5.5 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  AUIRFR3504Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 40 V, 8230 µohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 2

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - 140 W 90 W

针脚数 - 3 2

漏源极电阻 - 0.0055 Ω 0.00823 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 - 140 W 90 W

阈值电压 - 4 V 2 V

漏源极电压(Vds) 40.0 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 42.0 A 119A 77A

上升时间 69.0 ns 69 ns 74 ns

输入电容(Ciss) - 2950pF @25V(Vds) 1510pF @25V(Vds)

下降时间 - 36 ns 38 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 140W (Tc) 90W (Tc)

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 42.0 A - -

产品系列 IRFR4104 - -

额定功率(Max) - 140 W -

长度 - 6.73 mm 6.5 mm

宽度 - 6.22 mm 6.22 mm

高度 - 2.39 mm 2.3 mm

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3

材质 - - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17