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9-140、IRFP9140N、IRFP9140NPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 9-140 IRFP9140N IRFP9140NPBF

描述 Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3TO-247AC P-CH 100V 23AINFINEON  IRFP9140NPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -23 A, -100 V, 117 mohm, -10 V, -4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 - TO-247-3 TO-247-3

额定功率 - - 120 W

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.117 Ω

极性 - P-Channel P-Channel

耗散功率 - 140W (Tc) 120 W

阈值电压 - - 4 V

输入电容 - - 1300 pF

漏源极电压(Vds) - 100 V 100 V

漏源击穿电压 - -100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) - 23.0 A 23A

上升时间 - 67 ns 67 ns

输入电容(Ciss) - 1300pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 140 W

下降时间 - 51 ns 51 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 140W (Tc) 140W (Tc)

额定电压(DC) - -100 V -

额定电流 - -23.0 A -

产品系列 - IRFP9140N -

长度 - - 15.87 mm

宽度 - - 5.3 mm

高度 - - 20.3 mm

封装 - TO-247-3 TO-247-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free